电子束制作高分辨率波带片图形数据研究

来源 :微细加工技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zixialang

【摘要】

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根据圆环内部和相邻环分割单元之间的位置关系,设计了无间隙拼接处对齐和错开、有间隙拼接处对齐和错开四种结构模型.通过分析和比较这四种不同结构的高分辨率波带片图形数据

【作者】

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王德强康晓辉谢常青叶甜春

【机构】

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中国科学院微电子研究所

【出处】

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微细加工技术

【发表日期】

：

2005年2期

【关键词】

：

电子束波带片双曝光临近效应 <Keyword>E-beam zone plates double exposed proximity effe

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根据圆环内部和相邻环分割单元之间的位置关系,设计了无间隙拼接处对齐和错开、有间隙拼接处对齐和错开四种结构模型.通过分析和比较这四种不同结构的高分辨率波带片图形数据,给出图形数据量和剖分单元数的变化关系曲线.根据扫描电子显微镜得到的实验结果,决定采用无间隙拼接处错开的模型.在使用负性抗蚀剂SAL601,电子束曝光剂量35μC,前烘温度75℃等条件下,制作出了最外环宽度为250 nm的波带片.

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