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观测到纳晶硅表面上氧化结构在692nm和694nm处的尖锐受激发光。这种辐射是514nm激光泵浦发生的。受激发光峰的半高宽为0．5nm（洛伦兹形分布）。这种特殊的纳晶硅氧化结构是通过激光辐照和退火处理后形成的，只有控制好退火的时间，才能出现强烈的受激发光。解释这种受激辐射的模型已提出，其中多孔纳晶硅与氧化硅界面的陷阱态起着重要的作用。