【摘 要】
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基于未来低功耗毫米波接收前端的应用,采用InP HEMT工艺实现了一种W波段宽带低噪声放大器。该放大器采用边缘耦合线用于级间的隔离,扇形短截线用于RF旁路,偏置网络采用薄膜电
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基于未来低功耗毫米波接收前端的应用,采用InP HEMT工艺实现了一种W波段宽带低噪声放大器。该放大器采用边缘耦合线用于级间的隔离,扇形短截线用于RF旁路,偏置网络采用薄膜电阻和扇形短截线以保持放大器的稳定性。采用3mm噪声测试系统对单片进行在片测试,测试结果显示在80～102GHz,噪声系数小于5dB,相关增益大于19dB。五级电路的栅、漏分别连在一起方便使用,芯片面积3.6mm×1.7mm,功耗30mW。
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