【摘 要】
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为满足压阻式压力传感器封装工艺中硅芯片外引线键合的要求,研制了热压焊简易装置;研究了金铝压焊处金属间化合物扩散深度随温度增长关系.键合试验中,调节压焊控制台电压使衬
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为满足压阻式压力传感器封装工艺中硅芯片外引线键合的要求,研制了热压焊简易装置;研究了金铝压焊处金属间化合物扩散深度随温度增长关系.键合试验中,调节压焊控制台电压使衬底温度保持在150～200℃,压焊头辟刀温度保持在150℃左右,保证了压焊点接触的可靠性.实践表明,该装置容易操作,适合于大批量生产,具有一定的经济效益.
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