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VMOSFET,全称为垂直导电型金属氧化物半导体场效应管,是一种广泛应用于开关电源、马达控制、开关型变换器和削波器等电路中的电子元件,它具有功耗小、温度稳定性高、输入阻抗大等许多优点.VMOSFET元件的主要技术参数有漏-源导通电阻(又称通态电阻)RDS(oN)、漏-源击穿电压U(BR)DSS、漏极直流电流ID等.本文介绍一种业余条件下漏-源导通电阻的检测方法,当在削波器中使用VMOSFET元件时,该参数对于电路设计具有重要的意义.