【摘 要】
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据《Portable Design》2008年等7期报道,德国Infineon公司开发了用于700MHz频段无线基础设施应用的射频功率晶体管。基于公司先进的LDMOS工艺,这些器件具有内部输入和输出宽
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据《Portable Design》2008年等7期报道,德国Infineon公司开发了用于700MHz频段无线基础设施应用的射频功率晶体管。基于公司先进的LDMOS工艺,这些器件具有内部输入和输出宽带匹配性能和高线性度,简化了放大器设计。包括一个55W驱动器及两个输出级晶体管(170W和240W),在700MHz?
According to “Portable Design”, 2008 and other 7 reports, Infineon of Germany has developed a RF power transistor for wireless infrastructure applications in the 700MHz band. Based on the company’s state-of-the-art LDMOS process, these devices simplify the amplifier design by providing wideband matching performance and high linearity of internal input and output. Includes a 55W driver and two output stage transistors (170W and 240W) at 700MHz?
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