【摘 要】
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近年来,二硒化钼（MoSe2）作为二维过渡金属硫属化合物（TMDs）中的一员,引起学术界和产业界的高度关注和广泛研究.薄层MoSe2由于其比单层MoSe2厚度大所以光密度较高,在光电器件领域
【机 构】
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江南大学物联网技术应用教育部工程研究中心;
【基金项目】
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国家自然科学基金(61404061,11704159);江苏省自然科学青年基金(BK20140168,BK20170167)
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近年来,二硒化钼（MoSe2）作为二维过渡金属硫属化合物（TMDs）中的一员,引起学术界和产业界的高度关注和广泛研究.薄层MoSe2由于其比单层MoSe2厚度大所以光密度较高,在光电器件领域中具有潜在的应用.采用一种处于电容放电模式（E-mode）的温和氧气电感耦合等离子体对薄层MoSe2进行处理,实现其荧光增强到15倍.结合拉曼、荧光、原子力显微镜和X射线光电子能谱仪的表征,发现氧等离子中的氧原子通过物理和化学吸附修复了薄层MoSe2的原始缺陷,从而使其荧光大大增强,同时氧气的化学吸附诱导在MoSe2层中引入了p型掺杂,由负激子转变为中性激子,此研究为调控薄层MoSe2的光学特性提供了新途径.
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