论文部分内容阅读
基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算了Al、Si单掺和两者共掺纤锌矿CdSe晶体的能带结构、态密度分布、电导率及吸收光谱。结果表明,Al单掺体系的形成能最小,掺杂最容易,且Al与晶胞原子间的键合作用更强,体系最稳定;Si单掺体系的形成能最大,掺杂最困难;两种单掺体系中,平行于和垂直于晶体超胞c 轴的Si-Se键较长,布居值较小,共价键弱于Al-Se键;Al/Si共掺体系的电导率最大,Al单掺体系次之,Si单掺体系的电导率最小;掺杂后各个体系的最小光学带隙均变宽,同时吸收光谱向高能方向移动显著,吸收变弱。