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详细讨论了SiGe HBT的直流交流特性、噪声特性,SiGe HBT的结构、制作工艺、与工艺相关的寄生效应、SOI衬底上的SiGe HBT等,以及它在高速电路中的应用,包括低噪声放大器(LNA)、功率放大器(PA),电压控制振荡器(VCO)以及涉及到的无源器件等.
SiGe HBT及高速电路的发展
【摘 要】
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详细讨论了SiGe HBT的直流交流特性、噪声特性,SiGe HBT的结构、制作工艺、与工艺相关的寄生效应、SOI衬底上的SiGe HBT等,以及它在高速电路中的应用,包括低噪声放大器(LNA)
【机 构】
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中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室
【出 处】
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微纳电子技术
【发表日期】
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2003年10期
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