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采用射频磁控溅射法在Si（111）和Si（100）上制备LiNbO3薄膜.通过XRD技术探讨了硅基片取向和所制备的薄膜的取向之间的联系,研究了不同靶材对薄膜的影响,讨论了热处理温度、工艺和所制备的薄膜取向的关系.报道了在Si（111）基片上制备高c轴取向的LiNbO压电薄膜的制备方法.
射频磁控溅射法LiNbO3薄膜的制备及其影响因素研究
【摘 要】
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采用射频磁控溅射法在Si（111）和Si（100）上制备LiNbO3薄膜.通过XRD技术探讨了硅基片取向和所制备的薄膜的取向之间的联系,研究了不同靶材对薄膜的影响,讨论了热处理温度、工艺和所
【机 构】
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天津理工大学电子信息与通信工程学院
【出 处】
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天津理工大学学报
【发表日期】
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2008年4期
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