【摘 要】
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基于0．6μmCMOS工艺设计了一种新型的pH值传感器。多晶硅和双层金属电极形成复合的悬浮栅结构，Si3N4钝化层作为敏感层。传感单元为W／L=500μm／20μm的PMOS管，其阈值电压随溶液pH值
【机 构】
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浙江大学信息与电子工程学系微电子与光电子研究所
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基于0．6μmCMOS工艺设计了一种新型的pH值传感器。多晶硅和双层金属电极形成复合的悬浮栅结构，Si3N4钝化层作为敏感层。传感单元为W／L=500μm／20μm的PMOS管，其阈值电压随溶液pH值线性变化，并通过恒定PMOS管源漏电压和源漏电流控制电路转换成PMOS管源电压线性输出。PMOS管源电压线性输出范围达到4．6V，很好满足在不同pH值溶液中测试的要求。采用波长396nm紫外灯管照射来消除浮栅上电荷，增大阈值电压并有效调整溶液栅电压线性区工作范围。紫外照射后溶液栅电压可偏置在0V，减少溶液中噪
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