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以纯度为99．99％的纯金属In和Sn为原料，采用电弧气化法制备了单一立方In2O3结构的纳米ITO合金粉末，所制备的粉末以四方和类球形两种形貌存在，粒度主要位于30-70nm，分散性良好；并在此基础上采用常压烧结制备了相对密度高达99．74％，平均电阻率达到1．52×10^-4Ω·cm，结构成份均匀，晶粒尺寸5—10μm左右的超高密度ITO靶材。