Tl系超导薄膜金属涂层的生长与特性研究

来源 :低温物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：adige

【摘要】

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我们研究了T1-2212超导薄膜在带有YSZ／CeO2缓冲层和带有Ce02／YSZ／CeO2缓冲层的Ni金属RABiTS基带上的生长情况．基带上的缓冲层是采用PLD方法制备的，T1-2212薄膜的制备采用了磁控溅

【作者】

：

季鲁阎少林赵新杰方兰李永刚何明

【机构】

：

南开大学电子科学系

【出处】

：

低温物理学报

【发表日期】

：

2007年1期

【关键词】

：

T1-2212 RABTiS 缓冲层 YSZ CEO2 T1-2212 RABTiS Buffer layer YSZ CeO2

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我们研究了T1-2212超导薄膜在带有YSZ／CeO2缓冲层和带有Ce02／YSZ／CeO2缓冲层的Ni金属RABiTS基带上的生长情况．基带上的缓冲层是采用PLD方法制备的，T1-2212薄膜的制备采用了磁控溅射和后热处理两步方法．XRD实验结果表明。T1-2212薄膜都具有很好的C轴垂直于膜面的织构，并具有双向外延生长特性．在CeO2／YSZ／CeO2／Ni基带上制作的T1-2212薄膜的Tc达到102．8K，J,（77K,0T）达到2.6MA／cm^2；在YSZ／CeO2／Ni基带上薄膜Tc可达97

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