【摘 要】
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目的 通过调节沉积电流密度动态地控制钴纳米线择优生长方向，以制备磁性能良好的一维钴纳米线。方法 利用制备出的带有高度有序性纳米孔的氧化铝模板，通过直流恒电流电化学沉积
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目的 通过调节沉积电流密度动态地控制钴纳米线择优生长方向，以制备磁性能良好的一维钴纳米线。方法 利用制备出的带有高度有序性纳米孔的氧化铝模板，通过直流恒电流电化学沉积方法，调节沉积电流密度的大小，制备出一系列钴纳米线阵列，并利用XRD衍射仪和VSM振动磁强计测量其磁性能，包括矫顽力、剩磁比和各向异性的特点。结果 制备出了包括[101]择优取向、[100]择优取向及非晶态等结构的一维Co纳米线阵列，重点分析了具有[101]择优取向纳米线阵列的特点。结论 总结出了钴纳米线对于[101]晶向的易磁化规律。
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