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介绍了一种基于共振隧穿二极管（RTD）和高电子迁移率晶体管（HEMT）的单片集成电路．采用分子束外延技术在GaAs底层上重叠生长了RTD和HEMT结构．RTD室温下的峰谷电流比为5．2：1，峰值电流密度为22．5kA／cm^2．HEMT采用1μm栅长，阈值电压为-1V．设计电路称为单稳态-双稳态转换逻辑单元（MoBILE），实验结果显示了该电路逻辑运行成功，运行频率可达2GHz以上．