【摘 要】
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通过对GaP1-xNx混晶的瞬态发光特性的研究,揭示了在低组分下N杂质从NN;对束缚激子的特性逐渐向高组分下形成GaP1-xNx混晶的杂质带的演变.在较低组分下,样品的发光由NN对束缚
【机 构】
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厦门大学物理系,National Renewable Energy Laboratory,Department of Electrical and Computer Engineering
【基金项目】
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厦门大学校科研和教改项目;国家自然科学基金
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通过对GaP1-xNx混晶的瞬态发光特性的研究,揭示了在低组分下N杂质从NN;对束缚激子的特性逐渐向高组分下形成GaP1-xNx混晶的杂质带的演变.在较低组分下,样品的发光由NN对束缚激子及其声子伴线构成,从NN1到NN4的衰减时间分别在90～30 ns变化.当组分提高到x～1.3%以上时,样品的发光呈现出一个宽带,并按单指数规律衰减,辐射复合寿命大约在数十个纳秒量级,且随着N组分的增加,寿命相对减小;但在最高组分(x～3.1%)时,其寿命仍与NN4束缚激子的寿命相当(～30 ns),说明GaP1-xNx混晶新形成的杂质带仍然保持束缚激子较长的辐射复合寿命.且该杂质带低能端载流子的寿命比高能端载流子的寿命长,导致了其时间分辨谱向低能端的移动.同时在低组分样品的时间分辨谱的测量中,直接观察到了从较浅NN对束缚激子向较深NN对束缚激子的能量传输现象.
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