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采用直流磁控溅射制备了多层膜Ta／，缓冲层／[Co95Fe5（at%）/Cu] ×12／Co95Fe5/Ta。实验发现，多层膜的磁阻性能受到缓冲层材料、各子层厚度以及退火处理的影响。采用优化的多层膜结构：Ni65Fe15Co20缓冲层厚8nm、CoFe层厚1.55nm、Cu层厚2.4m，沉积态薄膜GMR值达到7．6％；而在外加磁场79．6×10^3A/m下，250℃保温2h退火处理后，多层膜的GMR值进一步提高到11．9％，磁滞从18．7×10^2A／m降低到796A／m。