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与硅相比,4H-SiC材料具有高功率、耐高温、高频、高集成度、高效率、高抗辐射等优势,是制作电力电子器件的理想材料,近十年以来SiC电力电子器件性能不断提高。回顾了SiC电力电子器件的发展,总结了材料、工艺和器件所面对的技术问题。笔者认为SiC JBS二极管和MOSFET将成为SiC的主流器件,将在今后十年内获得长足的发展。