【摘 要】
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三 结果rn为了方便,Taguchi阵列涂层标识为1/x,x是阵列的实验数,同样,第2阵列(次实验)为2/x.rnTaguchi阵列的分析沿用以前的技术结果总结见表2.从表2可知,除1/1涂层(富金属)
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三 结果rn为了方便,Taguchi阵列涂层标识为1/x,x是阵列的实验数,同样,第2阵列(次实验)为2/x.rnTaguchi阵列的分析沿用以前的技术结果总结见表2.从表2可知,除1/1涂层(富金属)外,所有涂层具含氧量在56.9％ ～ 60.8％(原子百分数)之间,其组成接近于Al2O3.Taguchi是用含氧量作为响应变量,分析结果列于表2.发现阵列系数影响响应变量,因此影响涂层的成分.信号的减小量越小、高的基材偏压、高的靶电流、大的基材到靶的距离都促进理想配比的氧化铝膜,这些结果的重大意义将在下文讨论,需注意的是下文提到含氧量是指氧原子的百分数.
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