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采用少体物理方法，研究了磁场对二维量子点两电子系统自旋极化态能级的影响。以GaAs半导体量子点为例，对体系基态能级E0、第一激发态自旋单态能级E1（A）和自旋三重态能级E1（S）随量子点有效半径l0。和磁场B的变化进行了数值计算。结果表明，E0随B的增加而增大，随z。的增加而减小；在磁场中第一激发态自旋单态能级E1（A）分裂为E1＋1，（A）、E1-1，（A）两条，第一激发态自旋三重态能级E1（S）分裂为E^Ms1＋1，（s）、E^MS1-1（S）（Ms=1，0，-1）两组，每组中有三条“精细结构”；各能