【摘 要】
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半导体GaAs对近红外光的吸收波峰值随温度升高向长波长移动,从而引起透射率随温度变化而变化。基于这一特性,设计了一种单光路的半导体吸收式光纤温度传感器。实验表明,该传
【机 构】
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天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室,西安交通大学精密工程研究所
【基金项目】
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精密测试技术及国家重点实验室开放基金资助项目;国家自然科学基金资助项目(50405030,50535030);国家重点基础研究发展规划基金资助项目(2004CB619302)
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半导体GaAs对近红外光的吸收波峰值随温度升高向长波长移动,从而引起透射率随温度变化而变化。基于这一特性,设计了一种单光路的半导体吸收式光纤温度传感器。实验表明,该传感器精度可达±1℃,响应速度可达20 s。
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