【摘 要】
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室温下在3.45 eV的激光激发下,对950 ℃温度下淀积的LPCVD富硅的SiNx薄膜中,观测到5 个高强度的可见荧光的发射.其峰位位置分别为2.7, 2.69, 2.4, 2.3, 2.1 eV.通过TEM、IR、
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划(973计划)
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室温下在3.45 eV的激光激发下,对950 ℃温度下淀积的LPCVD富硅的SiNx薄膜中,观测到5 个高强度的可见荧光的发射.其峰位位置分别为2.7, 2.69, 2.4, 2.3, 2.1 eV.通过TEM、IR、XPS等的分析研究表明,该样品为纳米硅镶嵌结构的a-SiNx:H复合膜,分析了其微结构的成因及其与膜内应力之间的相互关系.经过1 000～1 200 ℃快速退火(RTA)处理,原PL谱蓝移并只出现了峰位为3.0, 2.8 eV的两个紫蓝色荧光的发射,用能隙态模型对此结果做了初步的分析和讨论.
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