【摘 要】
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本文给出GaAs功率MESFET设计公式和计算曲线.实验结果表明:理论计算可用于确定器件的结构参数和材料参数.器件采用二氧硅隔离覆盖式叉指结构、斜凹槽栅及芯片四侧接地工艺.在
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本文给出GaAs功率MESFET设计公式和计算曲线.实验结果表明:理论计算可用于确定器件的结构参数和材料参数.器件采用二氧硅隔离覆盖式叉指结构、斜凹槽栅及芯片四侧接地工艺.在4GHz下输出功率2W,9GHz下输出功率可达800mW,12GHz下输出100mW.
In this paper, the design formula and calculation curve of GaAs power MESFET are given.The experimental results show that the theoretical calculation can be used to determine the structural parameters and material parameters of the device.The device adopts silicon oxide isolation covered interdigital structure, Technology at 4GHz output power of 2W, 9GHz output power up to 800mW, 12GHz output 100mW.
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