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利用密度矩阵的方法研究了一种非对称量子阱的光学非线性，推导出了二次谐波解析表达式，最后利用典型的GaAs／AlGaAs非对称量子阱进行数值计算．数值结果表明，当非对称性增大时，可得到比较大的二次谐波，从而为实验上制作比较大的非线性材料提供一种可行办法．
非对称量子阱中二次极化率的研究
【摘 要】
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利用密度矩阵的方法研究了一种非对称量子阱的光学非线性，推导出了二次谐波解析表达式，最后利用典型的GaAs／AlGaAs非对称量子阱进行数值计算．数值结果表明，当非对称性增大时，可得到
【机 构】
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广州大学物理与电子工程学院
【出 处】
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广州大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2008年2期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（60478010）,广东省科技厅资助项目（20078010600061,07001899）
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