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研究了国产结构参数近似的SiGe HBT与Si BJT在60γ射线辐照前和不同剂量辐照后性能的变化,并作了比较.辐照后集电极电流Ic变化很小,基极电流Ib明显增大,表明辐照后电流增益的下降主要是由于Ib的退化所导致.当辐照剂量达到10 kGy(Si)时,SiGe HBT和Si BJT的最大电流增益分别下降为77%和55%,表明了SiGe HBT具有比Si BJT更好的抗γ射线辐照性能.对辐射损伤机理进行了探讨.