【摘 要】
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采用磁控共溅射法并结合微波退火制备B掺杂SiCx基硅量子点(Si-QDs)薄膜.采用X射线衍射、X射线光电子能谱、透射电子显微镜和霍尔测试技术对薄膜的物相结构和电学性能进行表征.研究B掺杂对Si-QDs数量、尺寸和薄膜电导率的影响.结果表明:当B掺杂量从0％升至1.0％时,Si-QDs数量增多,尺寸增至4.83 nm,电导率增至8.5×10-2 S/cm;B掺杂量进一步升至1.3％时,Si-QDs数量则减少,尺寸减至4.78 nm,电导率降至5.9×10-2 S/cm.在该实验条件下,最佳B掺杂量为1.0
【机 构】
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云南师范大学可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,昆明 650500;华东师范大学电子工程系极化材料与器件教育部重点实验室,上海 200241
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采用磁控共溅射法并结合微波退火制备B掺杂SiCx基硅量子点(Si-QDs)薄膜.采用X射线衍射、X射线光电子能谱、透射电子显微镜和霍尔测试技术对薄膜的物相结构和电学性能进行表征.研究B掺杂对Si-QDs数量、尺寸和薄膜电导率的影响.结果表明:当B掺杂量从0％升至1.0％时,Si-QDs数量增多,尺寸增至4.83 nm,电导率增至8.5×10-2 S/cm;B掺杂量进一步升至1.3％时,Si-QDs数量则减少,尺寸减至4.78 nm,电导率降至5.9×10-2 S/cm.在该实验条件下,最佳B掺杂量为1.0％.
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