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GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lilyzhanglove

【摘 要】

：

用MOCVD法生长了120周期的GaN/Al0.14Ga0.86N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了清晰的超晶格及晶胞周期结构

【作 者】

：

陈伟华 胡晓东 章蓓 黎子兰 潘尧波 胡成余 王琦 陆羽 陆 

【机 构】

：

北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室

【出 处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2005年z1期

【关键词】

：

GaN/AlGaN超晶格 透射电镜 激光剥离 

【基金项目】

：

国家高技术研究发展计划(批准号:2001AA313110,2001AA313060,2001AA313140和2005AA319020),国家自然科学基金(批准号:60077022,60276034,50228202和60477011)资助项目

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用MOCVD法生长了120周期的GaN/Al0.14Ga0.86N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了清晰的超晶格及晶胞周期结构,电子衍射也表明生长的超晶格样品质量较好.在透射电镜图中看到了Al,Ga原子的聚居点,这些聚居点达到应力临界时将可能成为新缺陷的起点.同时观察到GaN缓冲层中的线缺陷大多呈现弯曲的弧形,这是外延生长导致的.

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