三甲基镓流量对GaN外延层和GaN缓冲层生长的影响

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jovkin

【摘要】

：

采用金属有机物气相外延法在蓝宝石衬底上生长了以GaN为缓冲层的GaN薄膜.研究了不同三甲基镓流量下所生长缓冲层对GaN外延层质量的影响.对样品采用X线双晶衍射法测试其结晶质

【作者】

：

陈振袁海荣陆大成王晓晖刘祥林韩培德汪度王占国

【机构】

：

中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室

【出处】

：

发光学报

【发表日期】

：

2001年z1期

【关键词】

：

GAN 三甲基镓流量缓冲层 MOVPE

【基金项目】

：

国家自然科学基金资助项目(60086001),国家重点基础研究项目专项支持(G20000683)

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

采用金属有机物气相外延法在蓝宝石衬底上生长了以GaN为缓冲层的GaN薄膜.研究了不同三甲基镓流量下所生长缓冲层对GaN外延层质量的影响.对样品采用X线双晶衍射法测试其结晶质量,光致发光法测试其光学特性.实验结果显示高三甲基镓流量下生长的缓冲层可以提高GaN外延层的质量.对缓冲层进行的原子力显微镜测试分析表明:不同三甲基镓流量会显著地影响缓冲层的生长模式.根据试验结果构造了一个GaN缓冲层的生长模型.

其他文献

可实现真空和气氛退火的高精度温控退火炉的研制

从退火炉的整体构造、管端配件的设计、控温电路和温度程序控制调节器的使用三个方面,介绍了由同济大学玻耳固体物理研究所自行研制的小型高精度温控退火炉装置.并针对典型的

期刊

气氛退火高精度退火炉研制可编程温度控制器PID调节真空退火温度控制退火工艺annealing programmable temperatur

633nm激发下掺Er^3＋TiBa玻璃微球上转换发光的形貌共振

制备了掺Er3+高折射率TiBa玻璃及其玻璃微球,玻璃基材主要成分为:TiO2、BaCO3和SiO2,稀土掺杂量为3wt%的Er2O3.用633nm激光激发测量了它们的上转换绿光发射.证实绿光的发射均

期刊

掺ER^3+TiBa玻璃上转换发光玻璃微球形貌共振高折射率铒掺杂upconversion emissionEr3+doped glassgla

SiC纳米晶须的光致发光研究

纳米碳化硅晶须作为一维半导体,其光学性质一直受到关注.研究结果显示,在Ar+激光(514.5nm)激发下,纳米碳化硅晶须室温下发出极其强烈的红光,这种发光导致喇曼光散射消失,瑞利

期刊

SiC纳米晶须低维半导体光致发光喇曼散射Ar^+激光碳化硅nanorods SiC lowdimension semiconductor pho

Eu^3＋掺杂的玻璃材料的黄昆因子与无辐射跃迁

本文提出了从Eu3+掺杂的玻璃材料激发光谱中声子边带确定黄昆因子的方法,并对制备的不同组份玻璃材料的黄昆因子进行了计算,研究了黄昆因子对玻璃组份的依赖关系,同时讨论了

期刊

黄昆因子无辐射跃迁声子边带EU^3+离子离子掺杂玻璃材料HuangRhys factornonradiative transitionsphon

In原子掺入对GaInNAs／GaAs单量子阱光致发光的影响

研究了In掺入GaNAs/GaAs单量子阱对其带间和低于带边发光性质的影响。实验结果显示，随着In浓度的增加，GaInNAs/GaAs量子阱带间发光得到改善，低于带边的发光强度大大地减小。这是

期刊

量子阱低于带边发光本征发光光致发光半导体GaInNAs/GaAs single quantum well photoluminescence bel

MOVPE生长氮化物四元系的热力学考虑

本文提出了一个MOVPE生长GaxAlyIn1-x-yN的膺热力学分析模型.假设此合金是由Ⅲ族元素与NH3之间反应生成的.为了计算氨分解的影响,在模型中引入了氨分解率的概念,质量守恒方程

期刊

GaAlInNMOVPE膺热力学分析

三甲基镓流量对GaN外延层和GaN缓冲层生长的影响

其他学术论文