【摘 要】
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采用操作简单的化学水浴法（CBD）在普通载玻片上制备了太阳能电池用缓冲层硫化镉薄膜。通过改变反应温度、溶液p H值和退火温度等实验条件,探讨了硫化镉薄膜的最佳制备工艺条件,
【机 构】
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湖南工业大学包装与材料工程学院,华中科技大学材料成形与模具技术国家重点实验室
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采用操作简单的化学水浴法（CBD）在普通载玻片上制备了太阳能电池用缓冲层硫化镉薄膜。通过改变反应温度、溶液p H值和退火温度等实验条件,探讨了硫化镉薄膜的最佳制备工艺条件,并利用X射线衍射仪、紫外-可见-分光光度计和电化学工作站对生成的薄膜样品进行了表征。结果表明,制备均匀性好、致密、覆盖度好的硫化镉薄膜的最佳实验条件如下：反应温度为70℃,溶液p H值为10,且后续在350℃温度下进行热处理1 h。此条件下得到的硫化隔薄膜的可见光透过率较高,具有明显的光电导现象;通过计算,最优实验条件下获得薄膜的禁带宽
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