【摘 要】
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芯片制备工艺完成后,给芯片留有一定厚度的衬底,同时利用丝切割技术将多余的碲锌镉衬底取下,并对其进行重复抛光处理.碲锌镉衬底的锌值分布及半高宽(Full Width at Half Maximum,FWHM)测试结果表明,碲锌镉衬底质量较好,可以再次用来制备液相外延碲镉汞薄膜.该薄膜经过标准探测器芯片工艺后,性能合格.该研究使原本要完全去除的衬底得以重复利用,提高了碲锌镉衬底的利用率,降低了探测器的制造成本.
【机 构】
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中国电子科技集团公司第十一研究所,北京100015
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芯片制备工艺完成后,给芯片留有一定厚度的衬底,同时利用丝切割技术将多余的碲锌镉衬底取下,并对其进行重复抛光处理.碲锌镉衬底的锌值分布及半高宽(Full Width at Half Maximum,FWHM)测试结果表明,碲锌镉衬底质量较好,可以再次用来制备液相外延碲镉汞薄膜.该薄膜经过标准探测器芯片工艺后,性能合格.该研究使原本要完全去除的衬底得以重复利用,提高了碲锌镉衬底的利用率,降低了探测器的制造成本.
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