【摘 要】
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在集成电路制造中,双大马士革技术已经被广泛应用于铜互连工艺中,其中采用了化学机械抛光(CMP)技术去除在布线时电镀阶段形成的多余铜,为下面的多层金属化结构提供一个平坦的
【机 构】
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河北工业大学电子信息工程学院,天津市电子材料与器件重点实验室
【基金项目】
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国家科技重大专项(02专项)(2016ZX02301003-004_007),天津市自然科学基金(16JCYBJC16100,18JCTPJC57000)
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在集成电路制造中,双大马士革技术已经被广泛应用于铜互连工艺中,其中采用了化学机械抛光(CMP)技术去除在布线时电镀阶段形成的多余铜,为下面的多层金属化结构提供一个平坦的表面。CMP将化学作用和机械作用相结合,是获得晶圆局部和全局平坦化的唯一可靠技术。抛光液作为CMP工艺中最重要的耗材之一,其性能的好坏直接决定晶圆的抛光效果和良品率。本文回顾了近年来国内外开发的各种新型铜抛光液,归纳总结表明铜抛光液正在朝着弱碱性、绿色环保、一剂多用和复配协同作用的方向发展。此外,展望了铜抛光液未来的重点研究方向。
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