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UniFET II MOSFET器件基于飞兆半导体的先进平面技术，具有更好的品质因数（FOM），更低的输入和输出电容，以及业界极佳的反向恢复性能，并具有高效率。而且，这些MOSFET器件的小型封装能容纳大量的功率，
面向消费电子的MOSFET
【摘 要】
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UniFET II MOSFET器件基于飞兆半导体的先进平面技术，具有更好的品质因数（FOM），更低的输入和输出电容，以及业界极佳的反向恢复性能，并具有高效率。而且，这些MOSFET器件的小型封装能
【出 处】
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今日电子
【发表日期】
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2011年3期
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