【摘 要】
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提出了一种具有三明治集电极结构的半超结RC-IGBT(SSS-RC-IGBT),该结构通过在N+buffer层和P+/N+集电区之间引入高阻N-layer,增大了集电极短路电阻。通过引入集电极侧的半超结
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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提出了一种具有三明治集电极结构的半超结RC-IGBT(SSS-RC-IGBT),该结构通过在N+buffer层和P+/N+集电区之间引入高阻N-layer,增大了集电极短路电阻。通过引入集电极侧的半超结,减小了漂移区的电阻,从而消除了器件的电压回跳现象。Sentaurus仿真结果表明,本结构中N/P柱的柱深为70μm,N/P柱的掺杂浓度为3×10^15 cm^-3。高阻N-layer的厚度为5μm,掺杂浓度为5×10^13cm^-3时,器件不会发生电压回跳现象。由于所提出的器件能够完全
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