【摘 要】
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信息技术的发展要求存储器件必须具备超高存储密度、超快的存取速率,因而能在纳米尺度上实现信息存储功能的新型超高密度信息存储材料已经成为信息技术领域的研究热点。简要
【机 构】
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信息技术的发展要求存储器件必须具备超高存储密度、超快的存取速率,因而能在纳米尺度上实现信息存储功能的新型超高密度信息存储材料已经成为信息技术领域的研究热点。简要地介绍了近年来利用扫描隧道显微镜/原子力显微镜(STM/AFM)实现信息写入的纳米信息存储材料的研究进展,并进一步列举了尚待解决的问题。
The development of information technology requires that storage devices must have ultra-high storage density and ultra-fast access rate. Therefore, new ultra-high density information storage materials capable of storing information at the nanometer scale have become the research hotspots in the field of information technology. In this paper, we briefly introduce the research progress of nanometer information storage materials using scanning tunneling microscope / atomic force microscope (STM / AFM) to write information in recent years and further enumerate the problems to be solved.
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