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采用MOCVD方法在(001)Si衬底上生长ZnO薄膜,并在空气中800℃退火1h。生长及退火样品的XRD图谱均显示了较强的(002)ZnO衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴高取向生长。光电子能谱(XPS)分析显示,退火后ZnO薄膜从富Zn生长变为富O生长。在样品的室温PL谱中,观察到未退火样品的紫外发射峰的中心为3.28eV,并观察到退火样品位于3.30eV的自由激子发射峰和位于3.23eV的施主-受主对的复合发光峰。实验结果表明,退火后ZnO薄膜的晶体质量得到提高。