【摘 要】
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本文研究了TaN薄膜在微波薄膜匹配负载器件中的应用.利用TaN薄膜设计了工作频率为DC-18GHz,承受功率10W的匹配负载1,工作频率为DC-18 GHz,承受功率60W的匹配负载2,以及工作频率为30-35GHz,承受功率为100W的高频高功率匹配负载3.采用磁控溅射制备了TaN电阻膜,采用掩膜图形化技术制备了所设计的薄膜匹配负载器件.测试结果表明,三款器件的电压驻波比在各自工作频率范围内均小
【机 构】
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电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室 610054
【出 处】
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2014年全国军事微波技术暨太赫兹技术学术会议
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本文研究了TaN薄膜在微波薄膜匹配负载器件中的应用.利用TaN薄膜设计了工作频率为DC-18GHz,承受功率10W的匹配负载1,工作频率为DC-18 GHz,承受功率60W的匹配负载2,以及工作频率为30-35GHz,承受功率为100W的高频高功率匹配负载3.采用磁控溅射制备了TaN电阻膜,采用掩膜图形化技术制备了所设计的薄膜匹配负载器件.测试结果表明,三款器件的电压驻波比在各自工作频率范围内均小于1.3,和仿真结果基本一致.同时对器件3测试了其功率负载能力,在加载功率100W,加载时间60分钟后,器件表面最高温度为107℃,匹配负载的电阻值变化了1.4％,表明所制备的负载器件具有良好的功率承载能力.
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