PTCDA/ITO表面和界面的AFM和XPS分析

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:X2000N
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利用X射线光电子能谱(XPS)对菲四甲酸二酐[3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride(PTCDA)]/铟锡氧化物(ITO)表面和界面进行了研究.用原子力显微镜(AFM)对PTCDA/ITO样品的表面形貌进行了分析.XPS表明,在原始表面的Cls精细谱存在两个主谱峰和一个伴峰,主谱峰分别由结合能为284.6eV的茈环中的C原子和结合能为288.7eV的酸酐基团中的C原子激发;而结合能为290.4eV的伴峰的存在,说明发生了来源于ITO膜中的氧对C原子的氧化现
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