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利用对双势垒器件非平衡态电子输运性质的含时动力学模拟计算，分析了弛豫时间对这类低维器件电子输运特性的影响，结果表明，由于电子-声子、电子-杂质和电子-缺陷等相互作用导致的弛豫时间对器件I-V曲线产生很大的影响，即电流滞后类平台结构的倾斜度以及电流滞后区的宽度．
弛豫时间对双势垒结构电子输运性质的影响
【摘 要】
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利用对双势垒器件非平衡态电子输运性质的含时动力学模拟计算，分析了弛豫时间对这类低维器件电子输运特性的影响，结果表明，由于电子-声子、电子-杂质和电子-缺陷等相互作用导致
【机 构】
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清华大学物理系原子与分子纳米科学重点实验室,烟台大学物理系
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2006年4期
【基金项目】
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国家重点基础发展规划（批准号：G2000067107）和国家自然科学基金（批准号：10404022）资助项目
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