【摘 要】
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设计了一款1.9~4.3 GHz的单片集成宽带VCO。采用三个低相位噪声LC VCO在频率上互相重叠的架构实现高频宽带特性,VCO内部集成中间抽头的差分电感。电路制造采用0.35μm SiGe B
【机 构】
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重庆西南集成电路设计有限公司,模拟集成电路国家级重点实验室
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设计了一款1.9~4.3 GHz的单片集成宽带VCO。采用三个低相位噪声LC VCO在频率上互相重叠的架构实现高频宽带特性,VCO内部集成中间抽头的差分电感。电路制造采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺技术,VCO的工作频率达1.9~4.3 GHz,单元功耗仅为4 mA。在工作频率为2.46 GHz处,经过÷2分频器输出的相位噪声实测值为-97 dBc/Hz(100 kHz频偏下)。
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