引起硅外延层及单晶中浅坑缺陷的某些金属

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本文用高纯金属Fe、Cr、Cu、Au及光谱纯、FeCl3、CuCl2和NaCl的水溶液,在工艺条件可能的情况下,对直拉(111)硅单晶片进行有意沾污,并在1200℃下进行外延或氢中热处理。观察到Fe的沾污极易产生浅坑缺陷,Cr也能产生;而Cu、Au、NaCl的沾污则未见产生浅坑。 能引起外延层中浅坑缺陷的金属,可在单晶中引起同类缺陷。
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