【摘 要】
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采用GSMC0.13μmCMOS工艺设计了一种适合于SOC的低压高精度带隙基准电压源.仿真结果表明,该电路可以在0.9～1.5V电源电压下工作,输出的基准电压可以稳定在约0.708V,温度在0～60℃
【机 构】
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采用GSMC0.13μmCMOS工艺设计了一种适合于SOC的低压高精度带隙基准电压源.仿真结果表明,该电路可以在0.9～1.5V电源电压下工作,输出的基准电压可以稳定在约0.708V,温度在0～60℃之间时,温度系数不超过44ppm/K,电源抑制比为66dB,最大功耗小于0.5μW.基于GSMC0.13μm1P8M CMOS工艺几何设计规则实现了其版图,版图面积约为0.2mm×0.15mm.
A low voltage and high precision bandgap reference voltage suitable for SOC is designed by using GSMC0.13μm CMOS technology.The simulation results show that the circuit can work at 0.9 ~ 1.5V supply voltage, the output reference voltage can be stabilized at about 0.708V, The temperature coefficient is no more than 44ppm / K, the power supply rejection ratio is 66dB and the maximum power consumption is less than 0.5μW when the temperature is between 0 and 60 ℃ .According to the geometric design rules of GSMC0.13μm1P8M CMOS process, its layout area is about 0.2 mm × 0.15mm.
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