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阐述背照式图像传感器(Backside Illumination,BSI)芯片,将硅片减薄后,在photodiode背面搭建CF及Micro Lens,光线由背面射入,增大了光电元件感光面积,减少了光线经过布线时的损失,以此可以大幅提高CIS在弱光环境下的感光能力。在华力BSI芯片流程中,钨刻蚀工艺是影响芯片光学信号噪音(RTS)的关键步骤,其关键尺寸及氧化层厚度的稳定性决定了产品质量的稳定性。但整个钨刻蚀工艺流程极长,其中多道工序对钨塞的形貌有显著影响,且依赖钨刻蚀工艺的关键尺寸等监控参数评估其工艺稳定