【摘 要】
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采用ＣＶＤ方法在硅单晶上制备ＳｎＯ２薄膜，对不同硅衬底及在不同温度下淀积ＳｎＯ２制得ＳｎＯ２／Ｓｉ进行光电压谱的测量，得出最佳的制备温度；采用类金属半导体接触模型，推导出有关计算公式，计算得出其介面复合速度
【机 构】
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厦门大学物理系，厦门集美航海学院物理室
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采用ＣＶＤ方法在硅单晶上制备ＳｎＯ２薄膜，对不同硅衬底及在不同温度下淀积ＳｎＯ２制得ＳｎＯ２／Ｓｉ进行光电压谱的测量，得出最佳的制备温度；采用类金属半导体接触模型，推导出有关计算公式，计算得出其介面复合速度和异质结势垒宽度等参数。
SnO2 thin films were prepared on silicon single crystal by CVD method. The photovoltage spectra of SnO2 / Si deposited on different silicon substrates and SnO2 deposited at different temperatures were measured to obtain the best preparation temperature. Metalloid semiconductor contacts Model, derive the relevant calculation formula, and calculate the interface recombination velocity and heterojunction barrier width and other parameters.
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