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在常用的半导体光催化材料中，研究较多的有TiO2、ZnO、CdS等，其中TiO2因性能稳定、催化活性高、无毒、不产生二次污染和成本低廉等优点，在光催化降解污染物领域显示出优越的应用前景。然而，由于TiO2自身的能隙较宽（3．0～3．2eV），光谱响应范围较窄，对光的利用率较低（2～3％），限制了其实际应用范围。为了提高TiO2的量子效率，可适当增加其表面缺陷以捕获电子使光生电子和空穴分离，