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不论是过去、现在还是未来，系统需求的增长都推动着硅半导体技术的发展。过去的40年中，如摩尔定律所描述，晶体管在CMOS Sealing理论的引导下，密度和性能方面持续化和系统化增长，从而成为硅半导体技术进步中的一个极为成功的工艺技术。当半导体行业演进到45纳米节点或更小尺寸的时候，硅CMOS器件的Scaling将引发巨大的技术挑战。其中两大挑战是不断增长的静态功耗和不断增长的器件特性的不一致性（variability）。这些问题来源于CMOS工艺快要到达原子理论和量子力学所决定的物理极限。它们常常被作为摩