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本文介绍了国内外专家学者为提高快恢复二极管(FRD)的反向恢复速度及软度所做的种种不懈努力，介绍了与IGBT、功率MOSFET等现代电力电子器件相配套的FRD的国内外现状及采用的技术方案，以及晶闸管企业研制FRD所需的硬件条件。
快恢复二极管发展与现状
【摘 要】
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本文介绍了国内外专家学者为提高快恢复二极管(FRD)的反向恢复速度及软度所做的种种不懈努力，介绍了与IGBT、功率MOSFET等现代电力电子器件相配套的FRD的国内外现状及采用的技
【机 构】
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清华大学电力电子厂
【出 处】
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中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛
【发表日期】
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2009年10期
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