【摘 要】
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基于密度泛函理论的第一性原理计算方法计算GaAs晶体的电子结构和光学性质,计算基组采用广义密度泛函(GGA)和赝势选取规范场赝势(NCP)对GaAs晶体进行理论计算研究.研究发现Ga
【基金项目】
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国家自然科学基金理论物理专项“含过渡族金属阳离子硼酸盐的非线性光学材料的理论机制研究”(11847072),伊犁师范大学项目“一类新型光电功能材料Cd3BPO7的性能研究”(2018YSJC03).
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基于密度泛函理论的第一性原理计算方法计算GaAs晶体的电子结构和光学性质,计算基组采用广义密度泛函(GGA)和赝势选取规范场赝势(NCP)对GaAs晶体进行理论计算研究.研究发现GaAs晶的带隙是1.019 eV,通过态密度图分析可知:价带顶主要由As的4s态组成,导带底由Ga的4s、4p和As的4s、4p态形成的杂化轨道共同构成,GaAs晶体是一种直接带隙晶体;为深入了解GaAs的光学性质,计算给出了折射率、介电函数,以及反射和吸收系数等光学性质的理论结果,从而探究电子结构和光学性质的内在联系.
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