论文部分内容阅读
介绍了高阻厚层反型外延片的一种实用生产技术,即在PE-2061S外延设备上,采取特殊的工艺控制在电阻率小于0.02Ω·cm的p型低阻衬底上实现了高阻厚层n型外延生长,外延层电阻率大于40Ω·cm,厚度大于100μm.研究表明:该外延材料完全可以满足IGBT器件制作的需要.
低阻P型衬底上高阻厚层n型外延
【摘 要】
：
介绍了高阻厚层反型外延片的一种实用生产技术,即在PE-2061S外延设备上,采取特殊的工艺控制在电阻率小于0.02Ω·cm的p型低阻衬底上实现了高阻厚层n型外延生长,外延层电
【机 构】
：
南京国盛电子有限公司
【出 处】
：
半导体学报
【发表日期】
：
2006年z1期
其他文献
在山区高速公路项目中，桥梁项目桩基由于四周地势险峻，成孔设备不容易就位，在地质条件相对稳定的地区，多使用人工挖孔成孔，同时挖孔桩没有泥浆排放，不会污染环境。本文通过案例分析
使用矩阵转换方法，对全息光刻中全息掩模衍射效率进行了数值模拟计算，讨论了记录介质显影前后特性的改变和再现时全息掩模复位精度对光刻图形质量的影响，并找出了影响图形质量的