【摘 要】
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本文根据高价态差掺杂原理,采用常压烧结技术制备了低电阻率的W-Ti共掺杂ZnO陶瓷靶材（WTZO）,并研究了烧结温度及烧结气氛对靶材特性的影响。结果表明：当烧结温度为1200℃时,WTZO
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所&,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室&,南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,河北工业大学信息工程学院
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本文根据高价态差掺杂原理,采用常压烧结技术制备了低电阻率的W-Ti共掺杂ZnO陶瓷靶材（WTZO）,并研究了烧结温度及烧结气氛对靶材特性的影响。结果表明：当烧结温度为1200℃时,WTZO靶材的特性较好。随着烧结温度的升高,WTZO靶材的相对致密度先快速增大后缓慢减小,方块电阻先降低后升高。烧结气氛对WTZO靶材特性的影响显著,烧结气氛为空气时,靶材的方块电阻为12.18Ω/□,相对致密度为94.3%;当烧结气氛为高纯Ar气时,靶材的方块电阻为1.253Ω/□,相对致密度为96.7%。
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