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利用LPCVD方法，在厚表层Si(SOL≈0．5μm)柔性绝缘衬底(SOI）(001)上外延生长出了可与硅衬底上外延晶体质量相比拟的SiC／SOI，表明SOI是一种很有潜力的柔性衬底，Raman光谱结果表明SiC／SOI外延层比SiC／Si外延层有更大的残存应力，对此从理论上进行了解释．利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)和喇曼散射光谱(RAM)技术研究了外延材料的晶体结构、界面性质和应变情况。